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【引言】过渡金属二硫属化物（TMDC）单层单层中的激子复合取决于激子生成速率（G）、配电背景载流子浓度和电子能带结构。在适当的应变下，主要直流即使在高浓度的WS2、WSe2和MoS2单层中，所有的中性激子也会发生辐射重组，从而在所有测量的Gs中产生接近统一的量子产率（QY）。

在自然界中发现的所有激子材料都表现出EEA，形态这是所有有机和一些无机发光器件效率下降的主要原因。通过参与准粒子的动量和能量守恒，低压EEA取决于上述第三个因素：详细的能带结构。应变使最终能量远离VHS共振，未网的微电网并大大降低了硫基和硒基TMDC的EEA。

然而，配电在高激子密度下，中性激子的复合主要是激子-激子湮灭（EEA），即一个激子与另一个激子碰撞时的非辐射复合。鉴于库仑相互作用，主要直流背景载流子将光产生的激子变成带电的电子，这些电子大多不会辐射地重新复合。

因此，形态在一个厘米级化学气相沉积（CVD）生长的WS2单层中均匀地抑制所有Gs下的非辐射复合。

【成果简介】今日，低压在美国加州大学AliJavey教授团队等人带领下，低压同时调制了三个因素，除了Vg和泵功率，还通过施加单轴应变（ε）来改变电子能带结构但公开的资料显示这个谈判并不顺利，未网的微电网也没有消息透露出已经成功。

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